Показати простий запис статті
dc.contributor.author |
Фреїк, Д.М. |
|
dc.contributor.author |
Горічок, І.В. |
|
dc.contributor.author |
Юрчишин, Л.Д. |
|
dc.date.accessioned |
2023-01-28T19:13:27Z |
|
dc.date.available |
2023-01-28T19:13:27Z |
|
dc.date.issued |
2013 |
|
dc.identifier.citation |
Термодинаміка і кристалохімія точкових дефектів у кристалах германій телуриду β-GeTe / Д.М. Фреїк, І.В. Горічок, Л.Д. Юрчишин // Украинский химический журнал. — 2013. — Т. 79, № 1. — С. 35-39. — Бібліогр.: 18 назв. — укр. |
uk_UA |
dc.identifier.issn |
0041–6045 |
|
dc.identifier.uri |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/187837 |
|
dc.description.abstract |
Методами термодинаміки і кристалохімії досліджено дефектну підсистему кристалів германій телуриду. Визначено концентрації точкових дефектів і вільних носіїв заряду в залежності від температури та тиску пари халькогену в умовах двотемпературного відпалу. Розраховано енергії утворення моновакансій та антиструктурних атомів. Встановлено, що у високотемпературній модифікації β-GeTe домінуючими дефектами є двократно йонізовані вакансії германію VGe²⁻ . |
uk_UA |
dc.description.abstract |
Методами термодинамики и кристаллохимии исследована дефектная подсистема кристаллов германий теллурида. Определены концентрации точечных дефектов и свободных носителей заряда в зависимости от температуры и давления пара халькогенами в условиях двухтемпературного отжига. Рассчитаны энергии образования моновакансий и антиструктурных атомов. Установлено, что в высокотемпературной модификации β-GeTe доминирующими дефектами являются двукратно ионизованные вакансии германия VGe²⁻ . |
uk_UA |
dc.description.abstract |
Investigated the defect subsystem crystal germanium telluride using the thermodynamics and crystal chemistry methods. Calculate the concentration of point defects and free carriers as a function of temperature and chalcogen vapor pressure in the conditions of two-temperature annealing. Calculated energy formation of monovacancies and antisite atoms. Found that in the high-temperature modification β-GeTe dominant defects are doubly ionized germanium vacancies VGe²⁻ . |
uk_UA |
dc.language.iso |
uk |
uk_UA |
dc.publisher |
Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України |
uk_UA |
dc.relation.ispartof |
Украинский химический журнал |
|
dc.subject |
Неорганическая и физическая химия |
uk_UA |
dc.title |
Термодинаміка і кристалохімія точкових дефектів у кристалах германій телуриду β-GeTe |
uk_UA |
dc.title.alternative |
Термодинамика и кристаллохимия точечных дефектов в кристаллах германий теллурида β-GeTe |
uk_UA |
dc.title.alternative |
Thermodynamics and crystal chemistry of point defects in germanium telluride crystals β-GeTe |
|
dc.type |
Article |
uk_UA |
dc.status |
published earlier |
uk_UA |
dc.identifier.udc |
621.315.592:535 |
|
Файли у цій статті
Ця стаття з'являється у наступних колекціях
Показати простий запис статті