Термодинаміка і кристалохімія точкових дефектів у кристалах германій телуриду β-GeTe

Abstract

Методами термодинаміки і кристалохімії досліджено дефектну підсистему кристалів германій телуриду. Визначено концентрації точкових дефектів і вільних носіїв заряду в залежності від температури та тиску пари халькогену в умовах двотемпературного відпалу. Розраховано енергії утворення моновакансій та антиструктурних атомів. Встановлено, що у високотемпературній модифікації β-GeTe домінуючими дефектами є двократно йонізовані вакансії германію VGe²⁻ .

Методами термодинамики и кристаллохимии исследована дефектная подсистема кристаллов германий теллурида. Определены концентрации точечных дефектов и свободных носителей заряда в зависимости от температуры и давления пара халькогенами в условиях двухтемпературного отжига. Рассчитаны энергии образования моновакансий и антиструктурных атомов. Установлено, что в высокотемпературной модификации β-GeTe доминирующими дефектами являются двукратно ионизованные вакансии германия VGe²⁻ .

Investigated the defect subsystem crystal germanium telluride using the thermodynamics and crystal chemistry methods. Calculate the concentration of point defects and free carriers as a function of temperature and chalcogen vapor pressure in the conditions of two-temperature annealing. Calculated energy formation of monovacancies and antisite atoms. Found that in the high-temperature modification β-GeTe dominant defects are doubly ionized germanium vacancies VGe²⁻ .