Ентальпії утворення домішково-вакансійних комплексів у кристалах А₂B₆

Abstract

Визначено ентальпії утворення комплексів точкових дефектів, що складаються з атома домішки, який заміщує у матриці катіон чи аніон, та аніонної або катіонної вакансії у сусідньому вузлі. Розрахунок проведено для кристалів ZnSe, ZnTe, CdSe, CdTe, легованих елементами першої (Cu, Ag, Au) та сьомої (Cl, Br, I) груп періодичної таблиці. На основі отриманих результатів проведено порівняльний аналіз ймовірності утворення зазначених комплексів у кристалах А₂B₆.

Определены энтальпии образования комплексов точечных дефектов, состоящие из атома примеси, замещающего в матрице катион или анион, и анионной или катионной вакансии в соседнем узле. Расчет проведен для кристаллов ZnSe, ZnTe, CdSe, CdTe, легированных элементами первой (Cu, Ag, Au) и седьмой (Cl, Br, I) группы периодической таблицы. На основе полученных результатов проведен сравнительный анализ вероятности образования указанных комплексов в кристаллах А₂B₆.

Determined the enthalpy of formation of complexes of point defects consisting of impurity atoms, which replaces the matrix cation or anion, and anionic or cationic vacancies in the neighboring node. The calculation was carried out for crystals ZnSe, ZnTe, CdSe, CdTe, doped elements first (Cu, Ag, Au) and seventh (Cl, Br, I) groups of the periodic table. Based on the results of comparative analysis of the probability of formation of these complexes in A₂B₆ crystals.