Расчет концентраций равновесных дефектов в беспримесных кристаллах селенида цинка методом квазихимических реакций

Abstract

Рассчитаны концентрации равновесных дефектов в монокристаллах селенида цинка, выращенных из расплава стехиометрического состава. Установлено, что основной механизм дефектообразования осуществляется по схеме Шоттки, причем при 300 К доминируют однозарядные вакансии селена V°Se и двухзарядные вакансии цинка V"Zn , а также их ассоциаты (V"Zn, V°Se). Проведено сравнение расчетных данных с экспериментальными результатами по исследованию электропроводности и люминесценции кристаллов ZnSe.

Проведено розрахунок концентрацій рівноважних дефектів в монокристалах селеніду цинку, вирощених з розплаву стехіометричного складу. Встановлено, що основний механізм дефектоутворення відбувається за схемою Шотткі, при цьому при 300 К домінують однозарядні вакансії селену V°Se і двозарядні вакансії цинку V"Zn’ , а також їх асоціати (V"Zn, V°Se ). Проведено порівняння розрахункових даних з експериментальними результатами електропровідності та люмінесценції кристалів ZnSe.

The calculation of zinc selenide monocrystals concentration, grown from the fusion of stoichiometric alloy, has been carried out. It was established that the main mechanism of defect formation occurs according to the Shottki scheme, namely, defects of V°Se and V"Zn, and their associates (V"Zn, V°Se ) dominate at 300 K. The comparative analysis of computation data with experimental results as to the investigation of ZnSe crystals electroconductivity and luminescence has been made.