Нестабильность RAPD-ампликонов сои при клеточной селекции на устойчивость к оксианионам вольфрама и ванадия

Abstract

Установлено наличие одних и тех же RAPD-ампликонов, дифференциально синтезируемых с ДНК вольфрамустойчивой клеточной линии сои (Glycine max L., Merr.) при действии летальных доз оксианионов вольфрама или ванадия, а также её исходного штамма. Предположено наличие в геноме сои локусов, повышенная нестабильность которых обусловлена действием различных стрессовых факторов.

Встановлено наявність одних і тих RAPD-ампліконів, які диференційно синтезуються з ДНК вольфрам стійкої клітинної лінії сої (Glycine max L., Merr.) за дії летальних доз оксианіонів вольфрама або ванадія. Припущена наявність у геномі сої локусів, підвищена нестабільність яких обумовлена дією різних стресових факторів.

Using lethal dose of oxyanions W or V the same RAPD-amplicons that are differentially synthesized from DNAs of tungsten-resistant cell line as well as their wild culture of soybean (Glycine max L., Merr.) are shown. The presence of instable loci in genome of soybean under different stressors are under discuss.