Влияние давления на линейный фон туннельной проводимости сверхпроводящих металлооксидов

Abstract

Исследовано влияние гидростатического (для 10 кбар) давления на туннельную проводимость G(V) контактов на основе висмутовой Вi2223 (Тс = 110 К) керамики. Показано, что изменения линейного, пропорционального напряжению IVI фона в G(V) под давлением происходят существенно быстрее, чем изменения проводимости G₀ при нулевом напряжении смещения V = 0. Этот результат указывает на отсутствие прямой связи аномального, пропорционального IVI фона в туннельных кривых ВТСП со спецификой высокотемпературной сверхпроводимости.

Досліджено вплив гідростатичного (до 10 кбар) тиску на тунельну провідність G(V) контактів на основі вісмутової ВІ2223 (Тс = ПО К) кераміки. Показано, що зміна лінійного, пропорційного напрузі IVI фону в G(V) під тиском проходить значно швидше, ніж зміна провідності G₀ при нульовій напрузі зміщення V = 0. Цей результат вказує на відсутність прямого зв’язку аномального, пропорційного ІVI фону в тунельних кривих ВТНП з спеціфікою високотемпературної надпровідності.

The effect of high pressures (up to 10 kbar) on the tunnel conductivity G(V) of contacts based on bismuth Bi 2223 (Tc= 110 K) ceramics is investigated. It is shown that the linear background in the differential conductivity increases more quickly than the conductivity G₀ at zero-bias voltage that is the evidence for the absence of direct relation between an anomalous background (proportional to IVI) in the HTS tunnel curves and HTS mechanisms.