О новом механизме трения в наноэлектромеханических системах

Abstract

Предложен новый механизм трения в наноэлектромеханических системах. Рассмотрена модель подвижного квантового дота, находящегося в электрическом поле и туннельно связанного с резервуаром электронов, поддерживаемом при постоянной температуре. Методом кинетических уравнений в рамках теории возмущений по параметру отношения ширины уровня к температуре показано, что в системе возникает внутреннее трение с немонотонной температурной зависимостью. Обсуждается возможность применения полученного результата для нахождения области неустойчивости в шаттловских системах.

Запропоновано новий механізм тертя в наноелектромеханічних системах. Розглянуто модель рухливої квантової точки, яка знаходиться в електричному полі й тунельно зв’язана з резервуаром електронів, що підтримується при постійній температурі. Методом кінетичних рівнянь в теорії збурень за параметром відношення ширини рівня до температури показано, що в системі виникає внутрішнє тертя з немонотонною температурною залежністю. Обговорюється можливість використання отриманого результату для знаходження області нестійкості в шаттлівських системах.

A new friction mechanism in nanoelectromechanical systems is proposed. The model considered comprises a movable quantum dot, placed in electric field and tunnel coupled to an electron reservoir held at fixed temperature. By using density operator method, in perturbation theory over the parameter of level width divided by temperature, it was shown that intrinsic friction with non-monotonic temperature dependence appears in the system. The feasibility of using the obtained result to find an instability domain in shuttle structures is discussed.