Резистивное состояние ВТСП пленки в переменном магнитном поле

dc.contributor.author	Пальти, А.М.
dc.contributor.author	Рубан, А.И.
dc.contributor.author	Снарский, А.А.
dc.date.accessioned	2021-02-01T15:04:25Z
dc.date.available	2021-02-01T15:04:25Z
dc.date.issued	1998
dc.identifier.citation	Резистивное состояние ВТСП пленки в переменном магнитном поле / А.М. Пальти, А.И. Рубан, А.А. Снарский // Физика низких температур. — 1998. — Т. 24, № 5. — С. 445-448. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	0132-6414
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/175476
dc.description.abstract	В рамках перколяционной модели рассчитана зависимость диссипации от частоты в переменном внешнем магнитном поле, перпендикулярном пленке ВТСП. При низких частотах зависимость линейна, а при высоких имеет максимум. Линейная зависимость диссипации от частоты в области низких частот подтверждается результатами экспериментальных исследований вольт-амперных характеристик.	uk_UA
dc.description.abstract	The frequency dependence of dissipation in a varying external magnetic field perpendicular to a HTSC film is calculated by using the percolation model. The dependence is linear at low frequencies and has a peak at high frequencies. The linear frequency dependence of dissipation in the low-frequency region is confirmed by the results of experimental studies of current–voltage characteristics.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Физика низких температур
dc.subject	Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная	uk_UA
dc.title	Резистивное состояние ВТСП пленки в переменном магнитном поле	uk_UA
dc.title.alternative	Resistive state of HTSC film in a varying magnetic field	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.identifier.udc	PACS: 74.76.Bz