Методом высокочастотной микроконтактной спектроскопии изучены контакты сурьмы в диапазоне 3 • 10³ - 8 • 10¹⁰Гц. Показано, что основной вклад в фоновый сигнал на МК спектре вносят процессы многофононной релаксации электронов, а не реабсорбция неравновесных фононов. По частотной дисперсии проводимости в области больших напряжений определена частота тепловой релаксации микроконтакта. Результаты высокочастотных измерений для контактов с инверсными спектрами интерпретируются в рамках модели пространственной локализации электронных состояний. Обнаружено существенное обострение спектральных особенностей злектрон-фононного взаимодействия.
Методом високочастотної мікроконтактної спектроскопії вивчено контакти сурми в діапазоні 3 • 10³ - 8 • 10¹⁰Гц. Показано, що основний внесок у фоновий сигнал на МК спектрі вносять процеси багатофо-нонної релаксації електронів, а не реабсорбція нерівноважних фононів. По частотній дисперсії провідності в області великих напруг визначено частоту теплової релаксації мікроконтакту. Результати високочастотних вимірювань для контактів з інверсними спектрами інтерпретуються в рамках моделі просторової локалізації електронних станів. Знайдено суттєве загострення спектральних особливостей електрон-фононної взаємодії.
High-frequency point-contact spectroscopy measurements of Sb contacts are performed at frequencies ranged between 3 • 10³ and 8 • 10¹⁰ Hz. It is shown that the background signal in the PC spectrum is mainly contributed by multi-phonon relaxation of electrons rather than by reabsorption of nonequalibrium phonons. The thermal relaxation frequency of the point-contacts is determined by frequency dispersion of conductivity at high voltages. The high-frequency results for the contacts with inverse spectra are treated within the scope of the model of spatial localization of electronic suites. The essential sharpening of the spectral peculiarities of electron-phonon interaction is found.