Применение поликристаллических диффузионных барьеров

Abstract

Деградация контактов электронной аппаратуры при повышенных температурах связана с активным диффузионным перераспределением компонентов контактно-металлизационной системы (КМС) и фазообразованием на межфазных границах. Одной из систем диффузионных барьеров (ДБ) являются поликристаллические силицидные пленки, в частности, силициды титана. Получение дисилицидов титана (TiSi2), которые по своим параметрам востребованы для условий микроэлектроники из известных силицидов системы Ti-Si, возможно как в результате прямой реакции пленки титана и подложки кремния, так и при осаждении слоя Ti-Si требуемого стехиометрического состава. В статье сделан анализ диффузионной проницаемости поликристаллического и полифазного ДБ и сделаны рекомендации для практических методов повышения блокирующих свойств поликристаллических диффузионных барьеров (ПДБ).

Деградація контактів електронної апаратури при підвищених температурах пов'язана з активним дифузійним перерозподілом компонентів контактно-металізаційної системи (КМС) і фазоутворення на міжфазних межах. Однією з систем дифузійних бар'єрів (ДБ) є полікристалічні силіцидні плівки, як то силіциди титану. Отримання дісиліцидів титану (TiSi), який за своїми параметрами затребуваний для умов мікроелектроніки з відомих силіцидів системи Ti-Si, можливо як в результаті прямої реакції плівки титану і підкладки кремнію, так і при осадженні шару Ti-Si потрібного стехіометричного складу. Зроблено аналіз дифузійної проникності полікристалічного та поліфазного ДБ та надані рекомендації для практичних методів підвищення блокуючих властивостей полікристалічних дифузійних бар’єрів.

Degradation of contacts of the electronic equipment at the raised temperatures is connected with active diffusion redistribution of components contact − metalized systems (CMS) and phase production on interphase borders. One of systems diffusion barriers (DB) are polycrystalline silicide a film, in particular silicides of the titan. Reception desilicide the titan (TiSi2) which on the parameters is demanded for conditions of microelectronics from known silicides of system Ti-Si, is possible as a result of direct reaction of a film of the titan and a substrate of silicon, and at sedimentation of layer Ti-Si demanded stoichiometric structure. Simultaneously there is specific problem polycrystalline diffusion a barrier (PDB): the polycrystalline provides structural balance and metastability film desilicide, but leaves in it borders of grains − easy local ways of diffusion. In clause the analysis diffusion permeability polycrystalline and polyphase DB is made and recommendations for practical methods of increase of blocking properties PDB are made.