Исследование свойств многокомпонентных халькогенидов серебра при сверхвысоких давлениях

Abstract

Исследовано влияние статического давления на электрические свойства AgGeAsS₃, AgGeSbS₃ и Ag₄RbI₅ методом импедансной спектроскопии. Получены годографы импеданса при давлениях 15–43 GPa, изучены зависимости проводимости от частоты и гистерезис проводимости, возникающий после постепенного уменьшения давления. Проанализировано влияние границы электрод–образец при различных давлениях. Обнаружены барический гистерезис проводимости для исследованных соединений, а также зависимость электрических свойств от предыстории нагружения. При определенных давлениях в образцах наблюдается фазовый переход.

The effect of static pressure on electrical properties of AgGeAsS₃, AgGeSbS₃ and Ag₄RbI₅ was investigated by the method of impedance spectroscopy. The hodographs of the impedance were obtained at pressure of 15-43 GPa, the frequency dependences of conductivity were studied. The influence of electrode-sample boundary was analyzed at different pressure. The hysteresis of conductivity occurring after a gradual pressure decrease is investigated. The barometric hysteresis of conductivity for the investigated compounds and dependence of electric properties on the prehistory of loading are detected. A phase transition takes place at definite pressure in the samples.