Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Improvement of the reverse characteristics of Schottky diodes using gettering

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Litvinenko, V.N.
dc.contributor.author Vikulin, I.М.
dc.contributor.author Gorbachev, V.E.
dc.date.accessioned 2020-04-12T11:45:54Z
dc.date.available 2020-04-12T11:45:54Z
dc.date.issued 2019
dc.identifier.citation Improvement of the reverse characteristics of Schottky diodes using gettering / V.N. Litvinenko, I.М. Vikulin, V.E. Gorbachev // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2019. — № 1-2. — С. 34-39. — Бібліогр.: 23 назв. — англ. uk_UA
dc.identifier.issn 2225-5818
dc.identifier.other DOI: 10.15222/TKEA2019.1-2.34
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/167866
dc.description.abstract The paper considers the causes and mechanisms of the influence of defects and impurities on the reverse current of the Schottky diode. The influence of two getter regions, which were created by different technologies on the working side and the reverse side of the plate, on the value of the reverse current of diodes was experimentally investigated, and the physical factors of such influence were analyzed. The proposed technology for creating getter regions allows one to significantly reduce the reverse current of diodes and increase the product yield. uk_UA
dc.description.abstract В настоящей работе исследованы влияние структурных дефектов и примесных загрязнений поверхности на уровень обратных токов ДШ и эффективность применения операций геттерирования для его снижения и повышения выхода годных приборов. Установлено, что причинами низкого процента выхода годных структур ДШ при контроле уровня их обратных токов являются окислительные дефекты упаковки, образующиеся в активных областях диодов в процессе проведения термического окисления, и примесные загрязнения на поверхности диодных структур. Предложена технология изготовления структур ДШ с двумя геттерными областями, одна из которых создана имплантацией аргона на обратной стороне пластины, вторая — диффузией бора на рабочей стороне пластины. uk_UA
dc.description.abstract У даній роботі досліджено вплив структурних дефектів і домішкових забруднень поверхні на рівень зворотних струмів ДШ і ефективність застосування операцій гетерування для його зниження і підвищення виходу придатних приладів. Встановлено, що причинами низького відсотка виходу придатних структур ДШ при контролі рівня їх зворотних струмів є окислювальні дефекти упаковки, що утворюються в активних областях діодів в процесі проведення термічного окислення, і домішкові забруднення на поверхні діодних структур. Запропоновано технологію виготовлення структур ДШ з двома гетерними областями, одна з яких створена імплантацією аргону на зворотному боці пластини, друга — дифузією бору на робочій стороні пластини. uk_UA
dc.language.iso en uk_UA
dc.publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject Технологические процессы и оборудование uk_UA
dc.title Improvement of the reverse characteristics of Schottky diodes using gettering uk_UA
dc.title.alternative Улучшение обратных характеристик диода Шотки при использовани гемтерирования uk_UA
dc.title.alternative Поліпшення зворотних характеристик діода шотткі при використанні гетерування uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA
dc.identifier.udc 621.382


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис