Молекулярно-динамическое моделирование процесса пайки дорожек наноразмерной шины

Abstract

Пайка соседних проводящих дорожек наноразмерной шины, то есть шины с дорожками шириной порядка 1 нм, моделировалась на основе изотермической молекулярной динамики. Проводящие дорожки и диэлектрические зазоры между ними воспроизводились гетерогенной поверхностью с высоко- и низкоэнергетическими полосами соответственно. Исследована роль основных управляющих параметров: размеров капли припоя, ширины диэлектрического зазора и др.

Пайка сусідніх провідних доріжок нанорозмірної шини, тобто шини з доріжками шириною порядку 1 нм, моделювалася на основі ізотермічної молекулярної динаміки. Провідні доріжки і діелектричні зазори між ними відтворювалися гетерогенною поверхнею з високо- і низькоэнергетичними смугами відповідно. Досліджено роль основних керуючих параметрів: розмірів краплі припою, ширини діелектричного зазору та ін.

Soldering of neighboring conductive ways of a nanosized bus, i.e. the bus with the way width of about 1 nm, was simulated using the isothermal molecular dynamics. Conductive ways and dielectric gaps between them were reproduced by a heterogeneous surface with high- and low-energy stripes respectively. The role of main controlling parameters (the solder droplet size, the width of the dielectric gap and other) was investigated.