Алмазное полирование кристаллических материалов для оптоэлектроники

Abstract

В результате исследований закономерностей механического полирования оптоэлектронных деталей из кристаллических материалов установлено, что производительность полирования убывает при увеличении их энергии связи и энергии переноса, а возрастает при увеличении коэффициента теплопроводности обрабатываемого материала, пути трения элемента обрабатываемой поверхности по поверхности притира и силы Лифшица. Показано, что отношение коэффициента объемного износа к коэффициенту температуропроводности обрабатываемого материала зависит от удельной теплоемкости и энергии переноса.

У результаті дослідження закономірностей механічного полірування оптоелектронних деталей з кристалічних матеріалів встановлено, що продуктивність полірування зменшується при збільшенні їх енергії зв’язку та енергії переносу, а зростає при збільшенні коефіцієнта теплопровідності оброблюваного матеріалу, шляху тертя елемента оброблюваної поверхні по поверхні притира і сили Ліфшиця. Показано, що відношення коефіцієнта об’ємного зносу до коефіцієнта температуропровідності оброблюваного матеріалу залежить від питомої теплоємності та енергії переносу.

As a result, studies of regularities mechanical polishing optoelectronic components of crystalline materials found that polishing efficiency decreases with an increase of the binding energy and the transfer energy, but increases with increasing heat conduction coefficient of the material being processed, a processed surface road friction element by lapping and Lifshitz force. It is shown that the ratio of the volume wear coefficient to the temperature conductivity coefficient of the material being processed depends on the specific heat and the transfer energy.