Деградаційні та відновні процеси у зворотньозміщених фосфідо-галієвих діодах, спричинені швидкими нейтронами реактора

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення ядерної фізики та енергетики
→
Вопросы атомной науки и техники
→
Bопросы атомной науки и техники, 2010
→
Вопросы атомной науки и техники, 2010, № 1
→
Переглянути статтю

Деградаційні та відновні процеси у зворотньозміщених фосфідо-галієвих діодах, спричинені швидкими нейтронами реактора

Друзенко, Н.В. ; Куц, В.І. ; Мосолаб, О.В. ; Ушата, Л.В. ; Гришин, Ю.Г. ; Тартачник, В.П. ; Чирко, Л.І. ; Опилат, В.Я. ; Смирнов, С.Б. ; Ластовецький, В.Ф. ; Литовченко, П.Г.

Інші назви: Деградационные и восстановительные процессы в обратносмещенных фосфидо-галлиевых диодах, вызванные быстрыми нейтронами реактора
Degradation and recovery processes in reverse-biased phosphidegallium diodes induced by reactor fast neutrons

Тема: Физика радиационных и ионно-плазменных технологий

УДК: 621.315.592

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/15664

Посилання: Деградаційні та відновні процеси у зворотньозміщених фосфідо-галієвих діодах, спричинені швидкими нейтронами реактора / Н.В. Друзенко, В.І. Куц, О.В. Мосолаб, Л.В. Ушата, Ю.Г. Гришин, В.П. Тартачник, Л.І. Чирко, В.Я. Опилат, С.Б. Смирнов, В.Ф. Ластовецький, П.Г. Литовченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2010. — № 1. — С. 112-116. — Бібліогр.: 8 назв. — укр.

Дата: 2010

Завантажень: 444

Деградаційні та відновні процеси у зворотньозміщених фосфідо-галієвих діодах, спричинені швидкими нейтронами реактора

Анотація:

Вивчались пробійні процеси у фосфідо-галієвих світлодіодах. Проведені оцінки величини коефіцієнта ударної іонізації у вихідних зразках. Показано, що опромінення нейтронами спричиняє збільшення зворотнього струму, обумовленого існуванням потенціального бар’єра. Значна кількість мікроплазм свідчить про суттєву неоднорідність досліджуваних p-n-переходів.

Изучены пробойные процессы в фосфидо-галлиевых светодиодах. Проведены оценки величины коэффициента ударной ионизации в исходных образцах. Показано, что облучение нейтронами влечет за собой увеличение обратного тока, обусловленного существованием потенциального барьера. Значительное количество микроплазм свидетельствует о существенной неоднородности исследуемых p-n-переходов.

Breakdown processes in phosphide-gallium light-emitting have been studied were studied. The coefficient of collision ionization in initial samples has been estimated. It was shown that neutron irradiation results in increase of the reverse current caused by existence of potential barrier. The significant amount of microplasmas is the manifestation of essential inhomogeneity of p-n junctions studied.

Показати повний запис статті