Исследование влияния параметров синтеза алмазных покрытий на скорость их роста и величину удельного электрического сопротивления

Abstract

Приведены результаты исследований по влиянию на кинетику процесса синтеза алмазных покрытий из газовой фазы в плазме тлеющего разряда, стабилизированного магнитным полем, величины тока разряда и температуры подложки. Показано, что для каждого интервала токов разряда существует своя зависимость скорости роста алмазных покрытий от температуры синтеза. Определенной зависимости величины удельного сопротивления алмазных покрытий от параметров их синтеза не установлено. Однако установлено, что имеется определенная корреляция между изменением сопротивления и скоростью роста покрытий.

Наведено результати досліджень по впливу на кінетику процесу синтезу алмазних покриттів з газової фази в плазмі тліючого розряду, стабілізованого магнітним полем, величини струму розряду й температури підкладки. Показано, що для кожного інтервалу струмів розряду існує своя залежність швидкості росту алмазних покриттів від температури синтезу. Певної залежності величини питомого опору алмазних покриттів від параметрів їхнього синтезу не встановлено. Однак встановлено, що є певна кореляція між зміною опору й швидкістю росту покриттів.

Diamond coatings were deposited by CVD-method from plasma of glow discharge, stabilized by a magnetic field. Results of researches connected with influence on diamond coating synthesis kinetics of discharge current magnitude and substrate temperature were presented. It is shown, that a dependence of growth rate of diamond coatings on synthesis temperature for each interval of discharge currents is obtained. The certain dependence of magnitude of diamond coating resistivity on conditions of their synthesis is not established. However it is established, that there is a certain correlation between change of resistance and growth rate of coatings.