Показати простий запис статті
dc.contributor.author |
Гаврилюк, О.О. |
|
dc.contributor.author |
Клименко, В.Є. |
|
dc.contributor.author |
Семчук, О.Ю. |
|
dc.date.accessioned |
2019-02-19T08:44:29Z |
|
dc.date.available |
2019-02-19T08:44:29Z |
|
dc.date.issued |
2012 |
|
dc.identifier.citation |
Температурна залежність параметрів поверхневих станів структури метал–діелектрик–напівпровідник / О.О. Гаврилюк, В.Є. Клименко, О.Ю. Семчук // Поверхность. — 2012. — Вип. 4 (19). — С. 52-56. — Бібліогр.: 11 назв. — укр. |
uk_UA |
dc.identifier.issn |
2617-5975 |
|
dc.identifier.uri |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/148893 |
|
dc.description.abstract |
Досліджена температурна залежность параметрів поверхневих станів структури метал-діелектрик-напівпровідник на високих частотах. Фазометричним методом досліджено імпеданс вбудованого каналу безкорпусного планарного польового транзистора з двома ізольованими затворами. |
uk_UA |
dc.description.abstract |
Investigation temperature dependence of surface states parameters o metal-insulator-semiconductor are calculated a the high frequencies. The impedance of a built-channel bodiless planar field-effect transistor with two isolated gates are studied by a phase metrical method. |
uk_UA |
dc.description.abstract |
Исследована температурная зависимость параметров поверхностных состояний структуры металл–диэлектрик–полупроводник на высоких частотах. Фазометрическим методом исследован импеданс встроенного канала беcкорпусного планарного полевого транзистора с двумя изолированными затворами. |
uk_UA |
dc.description.sponsorship |
Автори вдячні Н.С. Кравчук за пліднео бговорення та Я.М. Гнелиці за допомогу у проведенні експериментальних досліджень. |
uk_UA |
dc.language.iso |
uk |
uk_UA |
dc.publisher |
Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України |
uk_UA |
dc.relation.ispartof |
Поверхность |
|
dc.subject |
Теория химического строения и реакционной способности поверхности. Моделирование процессов на поверхности |
uk_UA |
dc.title |
Температурна залежність параметрів поверхневих станів структури метал–діелектрик–напівпровідник |
uk_UA |
dc.title.alternative |
Temperature dependence of surface state parameters of metal-insulator-semiconductor structures |
uk_UA |
dc.title.alternative |
Температурная зависимость параметров поверхностных состояний структуры металл-диэлектрик-полупроводник |
uk_UA |
dc.type |
Article |
uk_UA |
dc.status |
published earlier |
uk_UA |
dc.identifier.udc |
537:539 |
|
Файли у цій статті
Ця стаття з'являється у наступних колекціях
Показати простий запис статті