Температурний та лазерний відпал нестехіометричних плівок SiOx

Abstract

За літературними даними розглянуто останні досягнення в області створення технологій отримання кремнієвих нанокристалів і нанокомпозитних плівок, що містять нанокристали кремнію в діелектричній матриці. Особливу увагу приділено двом найбільш перспективним методам – температурному та лазерному відпалу нестехіометричних плівок SiOx.

Проведено теоретичне дослідження теплофізичних властивостей нестехіометричних плівок SiOx. Розрахований розподіл температури на поверхні плівок SiOx, опроміненних лазерним променем з різною інтенсивністю. Показано, що при лазерному відпалі з інтенсивністю лазерного променя 59 МВт/м² температура на поверхні плівок SiOx може досягати 2100 К.

На основе литературных данных рассмотрены последние достижения в области создания технологий получения кремниевых нанокристаллов и нанокомпозитных пленок, содержащих нанокристаллы кремния в диэлектрической матрице. Особое внимание уделено двум наиболее перспективным методам - температурном и лазерном отжигe нестехиометрических пленок SiOx. Проведено теоретическое исследование теплофизических свойств нестехиометрических пленок SiOx. Рассчитано распределение температуры на поверхности пленок SiOx, облученных лазерным лучом с различной интенсивностью. Показано, что при лазерном отжиге с интенсивностью лазерного луча 59 МВт/м² температура на поверхности пленок SiOx может достигать 2100 К.

The last achievements in the field of creation of technologies of receiving silicon nanocrystals and the nanocomposite films containing nanocrystals of silicon in a dielectric matrix are described. The special attention is paid to two methods - temperature and laser annealing of nonstoichiometric films of SiOx. Theoretical study of thermal properties of nonstoichiometric films SiOx. Temperature distribution on the surface of SiOx films by irradiation of laser beams with varying intensity is calculated. It is shown that laser annealing with the intensity of the laser beam 59 MW/m², the temperature on the surface of the SiOx films can reach 2100K.