Purpose. Silicon heterostructure solar cells, particularly Heterojunction with Intrinsic Thin layer (HIT) cells, are of
recommended silicon cells in recent years that are simply fabricated at low processing temperature and have high optical and
temperature stability and better efficiency than homojunction solar cells. In this paper, at first a relatively accurate computational
model is suggested for more precise calculation of the thermal behavior of such cells. In this model, the thermal dependency of
many parameters such as mobility, thermal velocity of carriers, band gap, Urbach energy of band tails, electron affinity, relative
permittivity, and effective density of states in the valence and conduction bands are considered for all semiconductor layers. The
thermal behavior of HIT solar cells in the range of 25-75 °C is studied by using of this model. The effect of the thickness of
different layers of HIT cell on its external parameters has been investigated in this temperature range, and finally the optimal
thicknesses of HIT solar cell layers to use in wide temperature range are proposed
Цель. Кремниевые гетероструктурные солнечные элементы, в частности гетеропереходы с ячейками внутреннего
тонкого слоя (HIT), в последнее время рекомендуются для использования в качестве кремниевых элементов, поскольку
они легко изготавливаются при низкой температуре обработки и имеют высокую оптическую и температурную
стабильность, а также более высокий к.п.д., чем солнечные элементы на основе гомоперехода. В настоящей работе
впервые предлагается относительно точная вычислительная модель для более точного расчета теплового поведения
таких ячеек. В этой модели для всех слоев полупроводника рассматривается температурная зависимость многих
параметров, таких как подвижность, тепловая скорость носителей, граница зоны, энергия Урбаха хвостов зоны,
сродство электронов, относительная диэлектрическая проницаемость и эффективная плотность состояний в
валентной зоне и в зоне проводимости. С использованием данной модели исследуется тепловое поведение HIT
солнечных элементов в диапазоне 25-75 °C. В данном диапазоне температур исследовано влияние толщины
различных слоев HIT ячейки на ее внешние параметры и в результате предложена оптимальная толщина слоев HIT
солнечных элементов для использования в широком диапазоне температур.
