Структура плівок ванадію на підкладинках SiO₂(001), MgO(100), Al₂O₃(0001), SrTiO₃(100) та особливості їх термічного окиснення

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізики і астрономії
→
Металлофизика и новейшие технологии
→
Металлофизика и новейшие технологии, 2018 (том 40)
→
Металлофизика и новейшие технологии, 2018, № 06
→
Переглянути статтю

Структура плівок ванадію на підкладинках SiO₂(001), MgO(100), Al₂O₃(0001), SrTiO₃(100) та особливості їх термічного окиснення

Орлов, А.К. ; Круглов, І.О. ; Волошко, С.М. ; Котенко, І.Є. ; Сидоренко, С.І. ; Ішикава, Т.

Інші назви: Структура плёнок ванадия на подложках SiO₂(001), MgO(100), Al₂O₃(0001), SrTiO₃(100) и особенности их термического окисления
Structure of Vanadium Films on SiO₂(001), MgO(100), Al₂O₃(0001), SrTiO₃(100) Substrates and Features of Their Thermal Oxidation

Тема: Металлические поверхности и плёнки

Інший ID: PACS: 61.05.cf, 68.55.J-, 73.61.At, 81.16.Pr, 81.40.Ef, 81.65.Cf, 81.65.Mq
DOI: https://doi.org/10.15407/mfint.40.06.0777

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/146954

Посилання: Структура плівок ванадію на підкладинках SiO₂(001), MgO(100), Al₂O₃(0001), SrTiO₃(100) та особливості їх термічного окиснення / А.К. Орлов, І.О. Круглов, С.М. Волошко, І.Є. Котенко, С.І. Сидоренко, Т. Ішикава // Металлофизика и новейшие технологии. — 2018. — Т. 40, № 6. — С. 777-794. — Бібліогр.: 47 назв. — укр.

Дата: 2018

Завантажень: 262

Структура плівок ванадію на підкладинках SiO₂(001), MgO(100), Al₂O₃(0001), SrTiO₃(100) та особливості їх термічного окиснення

Анотація:

Досліджено структуру тонких плівок ванадію на різних монокристалічних підкладинках V(25 нм)/SiO₂(001), V(25 нм)/MgO(100), V(25 нм)/Al₂O₃(0001), V(25 нм)/SrTiO₃(100) у вихідному стані та при відпалі до температури у 600°C у вакуумі 10⁻³ Па.

Исследуется структура тонких плёнок ванадия на различных монокристаллических подложках V(25 нм)/SiO₂(001), V(25 нм)/MgO(100), V(25 нм)/Al₂O₃(0001), V(25 нм)/SrTiO₃(100) в исходном состоянии и при отжиге до температуры 600°C в вакууме 10⁻³ Па.

The structures of thin V(25 nm)/SiO₂(001), V(25 nm)/MgO(100), V(25 nm)/Al₂O₃(0001), V(25 nm)/SrTiO₃(100) films on different monocrystalline substrates are studied in the initial state and under annealing up to 600°C in vacuum of 10⁻³ Pa.

Показати повний запис статті