Горайчук, Т.В.; Ільченко, Л.Г.; Лобанов, В.В.
(Поверхность, 2004)
Показано, що при нанесенні шару SiO₂ завтовшки ~40 Å потенціал взаємодії V₀(х,L) в багатошаровій системі метал–кремнезем–вакуум є аналогічним потенціалу взаємодії заряду з поверхнею дисперсного кремнезему.