Низкотемпературный изотермический метод хлоридной эпитаксии In₁₋ᵪGaᵪAs

dc.contributor.author	Губа, С.К.
dc.date.accessioned	2018-07-15T08:12:16Z
dc.date.available	2018-07-15T08:12:16Z
dc.date.issued	1998
dc.identifier.citation	Низкотемпературный изотермический метод хлоридной эпитаксии In₁₋ᵪGaᵪAs / С.К. Губа // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1998. — № 2. — С. 40-42. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/140762
dc.description.abstract	Новый низкотемпературный изотермический метод хлоридной эпитаксии позволяет получить изопериодные гетероструктуры In₁₋ᵪGaᵪAs/InP.	uk_UA
dc.description.abstract	The new low temperature isothermic method of the chloride epitaxy allows to obtain isoperiodic heterostructures In₁₋ᵪGaᵪAs/InP.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Материалы для компонентов	uk_UA
dc.title	Низкотемпературный изотермический метод хлоридной эпитаксии In₁₋ᵪGaᵪAs	uk_UA
dc.title.alternative	Низькотемпературний iзотермiчний метод хлорiдної епiтаксiї In₁₋ᵪGaᵪAs	uk_UA
dc.title.alternative	The low temperature isothermic method of chloride epitaxia of In₁₋ᵪGaᵪAs	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA