Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Перегляд Технология и конструирование в электронной аппаратуре за автором "Ткаченко, В.В."

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд Технология и конструирование в электронной аппаратуре за автором "Ткаченко, В.В."

Сортувати за: Порядок: Результатів:

  • Монолитные преобразователи частоты 5- и 3-миллиметрового диапазонов 
    Ткаченко, В.В.; Май, А.В.; Май, В.И.; Удод, Ю.О.; Угрин, М.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2006)
    Приведены результаты разработки монолитных преобразователей частоты 5- и 3-миллиметрового диапазонов как функционально завершенных узлов приемопередающей аппаратуры.
  • Монолитный балансный смеситель диапазона частот 80—100 ГГц. 
    Асеева, Е.Н.; Май, В.И.; Май, В.И.; Суперсон, В.И.; Ткаченко, В.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    Разработан и исследован монолитный балансный смеситель в диапазоне частот 80—100 ГГц с высоким уровнем интеграции и стойкости к воздействию механических и климатических факторов.
  • Монолитный приемник диапазона 33-37 ГГц с низким потреблением мощности 
    Май, А.В.; Май, В.И.; Колисниченко, М.В.; Ткаченко, В.В.; Петруша, В.М. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2006)
    Описан образец монолитного приемника, выполненного на основе монолитной интегральной схемы отечественного производства. Исследованы параметры и определены оптимальные конструкторско-технологические решения.
  • Смесительно-детекторные и умножительные диоды для смесителей приемных устройств СВЧ 
    Бобженко, С.В.; Май, В.И.; Новицкий, В.А.; Ткаченко, В.В.; Ткаченко, А.В.; Угрин, М.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    Описаны оригинальные конструкции арсенидгаллиевых диодов с барьером Шоттки, которые успешно используются в преобразователях частоты сантиметрового и миллиметрового диапазонов длин волн. С целью освоения субмиллиметрового ...
  • Создание Т-образного затвора в малошумящих полевых СВЧ-транзисторах 
    Босый, В.И.; Коржинский, Ф.И.; Семашко, Е.М.; Середа, И.В.; Середа, Л.Д.; Ткаченко, В.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2006)
    Получены экспериментальные образцы транзисторов с Т-образными затворами высотой 1,1 мкм, длиной нижней части 0,15 мкм и верхней части - 0,8-1,0 мкм.
  • Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов 
    Босый, В.И.; Данилов, Н.Г.; Кохан, В.П.; Новицкий, В.А.; Семашко, Е.М.; Ткаченко, В.В.; Шпоняк, Т.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2007)
    Получены омические контакты к p-GaN с удельным контактным сопротивлением (1...2)x10⁻³ Ом см² и коэффициентом прозрачности 78% на длине волны 460 нм.

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис