Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Photoinduced phenomena in thin-film Cu-PbI₂ and Cu-PbI₂-chalkogenide glassy semiconductor systems

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Mussil, V.V.
dc.contributor.author Lemeshevskaya, E.T.
dc.contributor.author Pilipenko, V.V.
dc.date.accessioned 2018-06-22T13:22:57Z
dc.date.available 2018-06-22T13:22:57Z
dc.date.issued 2006
dc.identifier.citation Photoinduced phenomena in thin-film Cu-PbI₂ and Cu-PbI₂-chalkogenide glassy semiconductor systems / V.V. Mussil, E.T. Lemeshevskaya, V.V. Pilipenko // Functional Materials. — 2006. — Т. 13, № 2. — С. 214-218. — Бібліогр.: 18 назв. — англ. uk_UA
dc.identifier.issn 1027-5495
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/140071
dc.description.abstract Results of photoinduced processes study in two-layer Сu-РbI₂ and three-layer Сu-РbI₂- chalkogenide glassy semiconductor (Ge-As-S) systems are presented. Reversible changes of optical transmittance in Сu-РbI₂-Ge-As-S systems under consecutive irradiation with different wavelength light (442 and 633 nm) have been found. It has been established that irradiation of the systems with linearly polarized weakly absorbed light results in formation of periodic diffraction structures. The phenomena observed have been considered taking into account the Сu photodiffusion processes, formation and degradation of small metallic particles in the РbI₂ layer and the light waveguide propagation in the film systems. uk_UA
dc.description.abstract Представлены результаты исследования фотоиндуцированных процессов в двух- и трехслойных системах Сu-РbI₂ и Сu-РbI₂-халькогенидный стеклообразный полупроводник (Ge-As-S). Обнаружены обратимые изменения оптического пропускания систем Сu-РbI₂-Ge-As-S при последовательном воздействии на них излучения с различными длинами волн (442 и 633 нм). Установлено, что облучение систем слабопоглощаемым линейно поляризованным излучением приводит к формированию в них периодических дифракционных структур. Наблюдаемые явления проанализированы с учетом процессов фотодиффузии Сu, образования и разрушения мелких металлических частиц в слое РbI₂ и волноводного распространения света в пленочной системе. uk_UA
dc.description.abstract Наведено результати дослiдження фотоiндукованих процесiв у двох- i трьохшарових системах Сu-РbI₂ та Сu-РbI₂-халькогенiдний склоподiбний напiвпровiдник (Ge-As-S). Виявлено оборотнi змiни оптичного пропускання систем Сu-РbI₂-Ge-As-S при їх послiдовному опромiненнi свiтлом з рiзними довжинами хвиль (442 i 633 нм). 3найдено, що опромiнення систем лiнiйно поляризованим свiтлом, що слабо поглинається, призводить до утворення в них дифракцiйних перiодичних структур. Явища, що спостерiгаються, проаналiзовано з урахуванням процесiв фотодифузiї Сu, утворення i руйнування дрiбних металевих частинок у шарi РbI₂ та хвилеводного розповсюдження свiтла у плiвковiй системi. uk_UA
dc.language.iso en uk_UA
dc.publisher НТК «Інститут монокристалів» НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Functional Materials
dc.title Photoinduced phenomena in thin-film Cu-PbI₂ and Cu-PbI₂-chalkogenide glassy semiconductor systems uk_UA
dc.title.alternative Фотоіндуковані явища у тонкоплівкових системах Cu-PbI₂ та Cu-PbI₂-халькогенідний склоподібний напівпровідник uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис