Properties of the Pb₁-ₓSnₓTe₁-ᵧSeᵧ epitaxial layers grown from the supersaturated melt-solution on dielectric and semiconductor substrates

Abstract

The epitaxial layers of Pb₁-ₓSnₓTe₁-ᵧSeᵧ quaternary solid solution (thickness of 2 to 11 µm, Nd ≤ 10⁵ сm⁻², n(p) = (0.9 to 8.7)·10¹⁷ сm⁻³ and µₕ = (0.1 to 24)·10³ сm²·V⁻¹·s⁻¹ at T - 80 К), lattice-matched with KCI, BaF₂, Рb₀.₈₀Sn₀.₂₀Те, and РbТе₀.₉₂Sе₀.₀₈ substrates, were grown in a wide composition range by the liquid phase epitaxy technique at a programmed overcooling of supersaturated melt-solution.

Методом рiдинної епiтаксiї при програмному переохолодженнi пересиченого розчину-розплаву на пiдкладках KCI, BaF₂, Рb₀.₈₀Sn₀.₂₀Те, і РbТе₀.₉₂Sе₀.₀₈ у широкому дiапазонi складiв вирощенi iзоперiоднi епiтаксiйнi шари чотирикомпонентних твердих розчинiв Pb₁-ₓSnₓTe₁-ᵧSeᵧ товщиною 2/11 мкм з Nd ≤ 10⁵ см⁻², n(p) = (0.9 to 8.7)·10¹⁷ см⁻³ and µₕ = (0.1 to 24)·10³ см²·V⁻¹·s⁻¹ at T - 80 К.

Методом жидкофазной эпитаксии при программном переохлаждении пересыщенного раствора-расплава на подложках KCI, BaF₂, Рb₀.₈₀Sn₀.₂₀Те, и РbТе₀.₉₂Sе₀.₀₈ в широком диапазоне составов выращены изопериодные эпитаксиальные слои четырёхкомпонентных твёрдых растворов Pb₁-ₓSnₓTe₁-ᵧSeᵧ толщиной 2/11 мкм з Nd ≤ 10⁵ см⁻², n(p) = (0.9 to 8.7)·10¹⁷ см⁻³ и µₕ = (0.1 to 24)·10³ см²·V⁻¹·s⁻¹ at T - 80 К.