Growing of GaₓIn₁-ₓSb single crystals by Czochralski technique

Abstract

The effective distribution coefficients for Ga in Gaₓln₁-ₓSb single crystals (х ≤ 0.2) have been calculated according the Ostrogorsky-Mueller model taking into account the experimental data. The growing procedure of Gaₓln₁-ₓSb single crystals using the Czochralski technique has been developed and the crystals up to 18 mm in diameter have been grown. The influence of annealing on the crack formation in Gaₓln₁-ₓSb single crystals after cutting thereof has been studied. The crystal annealing at 170℃ for 10-12 h has been found to reduce the number of cracks longer than 0.2 mm.

Определены эффективные коэффициенты распределения Ga согласно модели Острогорского-Мюллера с учетом экспериментальных данных для составов кристаллов Gaₓln₁-ₓSb с содержанием Ga до 0,2. Разработан метод выращивания по Чохральскому, выращены монокристаллы Gaₓln₁-ₓSb диаметром до 18 мм. Изучено влияние отжига на образование трещин после разрезания монокристаллов Gaₓln₁-ₓSb. Показано, что отжиг кристаллов при температуре 170℃ в течение 10-12 часов уменьшает количество трещин длиной более 0,2 мм.

Визначено ефективнi коефiцiєнти розподiлу Ga згiдно моделi Острогорського-Мюллера з урахуванням експериментальних даних для складiв кристалiв Gaₓln₁-ₓSb iз вмiстом Ga до 0,2. Розроблено метод вирощування за Чохральським, вирощено монокристали Gaₓln₁-ₓSb дiаметром до 18 мм. Вивчено вплив вiдпалу на утворення трiщин пiсля розрiзання монокристалiв Gaₓln₁-ₓSb. Показано, що вiдпал кристалiв при температурi 170℃ протягом 10-12 годин поменшує кiлькiсть трiщин довжиною бiльш нiж 0,2 мм.