Influence of γ-irradiation on current-voltage characteristics of TIGaSe₂ single crystal

Abstract

Injection currents are studied in high-resistive TIGaSe₂ single crystals prior to and after γ-irradiation (with dose Dγ = 50 and 100 kR) and the electrical parameters have been determined. Before irradiation, the concentration of traps Nt = 2.7·10¹⁰ cm⁻³, equilibrium concentration of charge carriers P₀ = 3·10⁹ cm⁻³, the depth of trap level responsible for the injection current Et= 2.6·10⁻² eV. For crystals irradiated at Dγ= 50 kR: Nt = 1·10¹¹ cm⁻³, P₀ = 2·10⁸ cm⁻³, Et= 2.6·10⁻² eV; after irradiation at Dγ= 100 kR, Nt = 5.4·10¹⁰ cm⁻³, P₀ = 5·10⁹ cm⁻³, Et= 2.6·10⁻² eV.

Вивчено інжекційний струм у високоомних монокристалах TIGaSe₂ до та після опромінення дозами Dγ = 50 і 100 кР та встановлено електричні параметри до та після опромінення. До опромінення концентрація пасток Nt = 2,7·10¹⁰ см⁻³, рівноважна концентрація носіїв заряду Р₀ = 3·10⁹ см⁻³, глибина залягання пасток, відповідальних за інжекційний струм, Et = 2,6·10⁻² еВ. Для кристалів, що опромінені Dγ = 50 кР, Nt = 2,7·10¹¹ см⁻³, Р₀ = 2·10⁸ см⁻³, Et = 2,6·10⁻² еВ; після опромінення Dγ = 100 кР, Nt = 5,4·10¹⁰ см⁻³, Р₀ = 5·10⁹ см⁻³, Et = 2,6·10⁻² еВ.

Изучены инжекционные токи в высокоомных монокристаллах TIGaSe₂ до и после облучения дозами DY = 50 и 100 кР и определены электрические параметры до и после облучения. До облучения концентрация ловушек Nt = 2,7·10¹⁰ см⁻³, равновесная концентрация носителей заряда Р₀ = 3·10⁹ см⁻³, глубина залегания ловушек, ответственных за инжекционный ток, Et = 2,6·10⁻² эВ. Для кристаллов, облученных Dγ = 50 кР, Nt = 2,7·10¹¹ см⁻³, Р₀ = 2·10⁸ см⁻³, Et = 2,6·10⁻² эВ; после облучения Dγ = 100 кР, Nt = 5,4·10¹⁰ см⁻³, Р₀ = 5·10⁹ см⁻³, Et = 2,6·10⁻² эВ.