Multilayer film heterostructures. Silicides

Abstract

The formation of heterostructures based on nanoscale silicide films in limiting states are exemplified. The nanoscale silicide films of a required phase composition are shown to be obtainable by formation of specific zones, different type interlayers referred to as the diffusion-controlling layers between the metal layer and substrate (silicon single crystal).

Подано приклади отримання гетероструктур на основі нанорозмірних силіцидних плівок у граничних станах. Показано, що отримання нанорозмірних силіцидних плівок необхідного фазового складу забезпечується формуванням між шаром металу і підкладкою (монокристалом кремнію) особливих зон, прошарків різного типу - дифузійноконтролюючих шарів.

Показаны примеры получения гетероструктур на основе наноразмерных силицидных пленок в предельных состояниях. Показано, что получение наноразмерных силицидных пленок необходимого фазового состава обеспечивается формированием между слоем металла и подложкой (монокристаллом кремния) особенных зон, прослоек разного типа - диффузионно-контролирующих слоев.