Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Study of nanostructured layers of single-crystal silicon by scanning tunnel spectroscopy
Репозиторій DSpace/Manakin
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Study of nanostructured layers of single-crystal silicon by scanning tunnel spectroscopy
Інші назви:
Вивчення наноструктурованих плівок монокристалічного кремнію методом сканувальної тунельної спектроскопії
Тема:
Characterization and properties
Посилання:
Study of nanostructured layers of single-crystal silicon by scanning tunnel spectroscopy / S.P. Kulyk, M.M. Melnichenko, K.V. Svezhentsova, O.M. Shmyryova // Functional Materials. — 2008. — Т. 15, № 1. — С. 74-77. — Бібліогр.: 6 назв. — англ.
Дата:
2008
Переглядів:
474
Завантажень:
213
Анотація:
The nanostructured silicon surface has been studied using the scanning tunnel microscopy and spectroscopy in air. The local density of electron states was defined as normalized differential tunnel conductivity (dI/dU)(I/U). The surface morphology has been found to be characterized by the presence of a homogeneous nanostructure on the initial substrate microrelief. For the first time it has been shown that the spectrum of electron states changes considerably during the growth of a nanostructured silicon film.
