Описана температурная зависимость концентрации электронов в облученных γ-квантами ⁶⁰Со кристаллах n-типа кремния, связанная с перезарядкой дважды и отрицательно заряженной дивакансии в процессе ее конфигурационной перестройки из одной конфигурации с большей дисторсией в конфигурацию с меньшей дисторсией. Показано, что экспериментальное наблюдение обобщенного уровня Еₜ-0,23 эВ дивакансии возможно только в процессе ее конфигурационной перестройки. Экспериментально наблюдалось, что концентрация V₂² с уровнем Еₜ-0,261 эВ определяется не только видом и дозой ядерного излучения, но и зависит от уровня легирования кристаллов кремния. Определена скорость конфигурационной перестройки дивакансии из одной конфигурации с большей дисторсией в конфигурацию с меньшей дисторсией как функция энергии и температуры ее перезарядки. Обнаружено, что ультразвуковая обработка облученных γ-квантами образцов n-Si усиливает миграцию межузельных атомов (Сᵢ), разрушая радиационные дефекты (Pₛ-Cᵢ), и уменьшает вероятность конфигурационной перестройки дивакансии из одной конфигурации с большей дисторсией в конфигурацию с меньшей дисторсией.
Описана температурна залежність концентрації електронів у опромінених γ-квантами ⁶⁰Co кристалах n-типу кремнію, пов'язана з перезарядкою двічі і негативно зарядженої дивакансії в процесі її конфігураційної перебудови з однієї конфігурації з більшою дісторсией в конфігурацію з меншою дісторсией. Показано, що експериментальне спостереження узагальненого рівня Еₜ-0,23 еВ дивакансії можливо тільки в процесі її конфігураційної перебудови. Експериментально спостерігалося, що концентрація V₂² з рівнем Еₜ-0,261 еВ визначається не тільки видом і дозою ядерного випромінювання, але і залежить від рівня легування кристалів кремнію. Визначено швидкість конфігураційної перебудови дивакансії з однієї конфігурації з більшою дісторсией в конфігурацію з меншою дісторсией як функція енергії і температури її перезарядки. Виявлено, що ультразвукова обробка опромінених γ-квантами зразків n-Si посилює міграцію межузельних атомів (Сᵢ), руйнуючи радіаційні дефекти (Pₛ-Сᵢ), але зменшує ймовірність конфігураційної перебудови дивакансії з однієї конфігурації з більшою дісторсией в конфігурацію з меншою дісторсией.
The temperature dependence of the electron density in the crystals of n-type silicon irradiated γ-rays ⁶⁰Co associated with double and negatively charged divacancy in the process of restructuring of a configuration with more distortion in the configuration with less distortion was described. The experimental observation of a generalized level Eₜ-0.23 eV divacancy is only possible in the process of restructuring its configuration was shown. Experimentally observed, that the concentration of the level V₂² Eₜ-0.261 eV determined by not only the type and dose of nuclear radiation, but also depends on the level of doping of silicon crystals. In γ-rays irradiated samples nSi the speed of adjustment divacancy from configuration with more distortion in the configuration with less
distortion is determined as a function of energy and its recharge temperature. Ultrasonic treatment of n-type silicon crystals irradiated γ-rays ⁶⁰Co enhances the migration of interstitial atoms (Сᵢ), destroying radiation defects (Pₛ-Сᵢ), but also reduces the likelihood of divacancies configuration adjustment from one configuration with a greater
distortion in configuration with less distortion was found.
