Structure perfection of sapphire single crystals grown by HOC method in reducing atmosphere

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізико-технічних проблем матеріалознавства
→
Functional Materials
→
Functional Materials, 2011, том 18
→
Functional Materials, 2011, № 4
→
Переглянути статтю

Structure perfection of sapphire single crystals grown by HOC method in reducing atmosphere

Tkachenko, V.F. ; Lukienko, O.A. ; Budnikov, A.T. ; Vovk, E.A. ; Krivonogov, S.I.

Інші назви: Досконалість структури монокристалів сапфіру, вирощених методом ГНК у відновлювальних умовах

Тема: Characterization and properties

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/135594

Посилання: Structure perfection of sapphire single crystals grown by HOC method in reducing atmosphere / V.F. Tkachenko, O.A. Lukienko, A.T. Budnikov, E.A. Vovk, S.I. Krivonogov // Functional Materials. — 2011. — Т. 18, № 4. — С. 481-486. — Бібліогр.: 13 назв. — англ.

Дата: 2011

Завантажень: 229