Dependence of minority charge carriers lifetime on point defects type and their concentration in single-crystal silicon

dc.contributor.author	Zaitsev, R.V.
dc.contributor.author	Kopach, V.R.
dc.contributor.author	Kirichenko, M.V.
dc.contributor.author	Doroshenko, A.N.
dc.contributor.author	Khrypunov, G.S.
dc.date.accessioned	2018-06-15T12:37:04Z
dc.date.available	2018-06-15T12:37:04Z
dc.date.issued	2011
dc.identifier.citation	Dependence of minority charge carriers lifetime on point defects type and their concentration in single-crystal silicon / R.V. Zaitsev, V.R. Kopach, M.V. Kirichenko, A.N. Doroshenko, G.S. Khrypunov // Functional Materials. — 2011. — Т. 18, № 4. — С. 497-503. — Бібліогр.: 16 назв. — англ.	uk_UA
dc.identifier.issn	1027-5495
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/135592
dc.language.iso	en	uk_UA
dc.publisher	НТК «Інститут монокристалів» НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Functional Materials
dc.subject	Modeling and simulation	uk_UA
dc.title	Dependence of minority charge carriers lifetime on point defects type and their concentration in single-crystal silicon	uk_UA
dc.title.alternative	Залежність часу життя неосновних носіїв заряду від типу та концентрації точкових дефектів у монокристалічному кремнії	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA