The solubility region of Ga in PbTe films prepared on Si-substrates by modified "hot wall" technique

dc.contributor.author	Samoylov, A.M.
dc.contributor.author	Belenko, S.V.
dc.contributor.author	Dolgopolova, E.A.
dc.contributor.author	Khoviv, A.M.
dc.contributor.author	Synorov, Y.V.
dc.date.accessioned	2018-06-15T11:19:34Z
dc.date.available	2018-06-15T11:19:34Z
dc.date.issued	2011
dc.identifier.citation	The solubility region of Ga in PbTe films prepared on Si-substrates by modified "hot wall" technique / A.M. Samoylov, S.V. Belenko, E.A. Dolgopolova, A.M. Khoviv, Y.V. Synorov // Functional Materials. — 2011. — Т. 18, № 2. — С. 181-188. — Бібліогр.: 14 назв. — англ.	uk_UA
dc.identifier.issn	1027-5495
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/135452
dc.language.iso	en	uk_UA
dc.publisher	НТК «Інститут монокристалів» НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Functional Materials
dc.subject	Characterization and properties	uk_UA
dc.title	The solubility region of Ga in PbTe films prepared on Si-substrates by modified "hot wall" technique	uk_UA
dc.title.alternative	Розчинність Ga у плівках PbTe, вирощених на кремнієвих підкладках за допомогою модифікованого методу "гарачої стінки"	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA