Schottky structures nZnSe(O,Te)/Ni as candidates for selective ultraviolet detectors

Abstract

Data on optical and electrophysical properties of photosensitive structures with Schottky barrier of nZnSe(O, Te)/Ni type are presented. The photoreceivers of this type have current sensitivity Sλ = 0.1-0.15 A/W for λ = 420-440 nm, and at λ = 250-270 nm Sλ is 0.02 A/W; the threshold sensitivity is ~10⁻¹² W·cm⁻¹·Hz⁻¹/². For separation of various UV spectrum regions showing photobiological activity, light filters have been developed intended for use thereof in detecting devices.

Представлено дані про оптичні та електрофізичні властивості фоточутливих шарів з бар'єрами Шотткі nZnSe(O, Te)/Ni і показано перспективи їх використання як УФ фотоприймачів. Фотоприймачі такого типу мають струмову чутливість Sλ = 0.1-0.15 А/Вт для λ = 420-440 нм, для λ = 250-270 нм Sλ = 0.02 А/Вт, а також порогову чутливість ~10⁻¹² Вт·см⁻¹·Гц⁻¹/². Розроблено світлофільтри для виділення різних фотобіологічно активних областей УФ випромінювання для використання їх у детектуючих пристроях.

Представлены данные по оптическим и электрофизическим свойствам фоточувствительных слоев с барьерами Шоттки nZnSe(O,Te)/Ni и показаны перспективы их использования в качестве УФ фотоприемников. Фотоприемники такого типа имеют токовую чувствительность Sλ = 0.1-0.15 А/Вт для λ = 420-440 нм; для λ = 250-270 нм Sλ = 0.02 А/Вт; пороговая чувствительность ~10⁻¹² Вт·см⁻¹·Гц⁻¹/². Разработаны светофильтры для выделения различных фотобиологически активных областей УФ спектра, предназначенные для использования их в детектирующих устройствах.