The formation of n-n⁺ transition in the implanted crystal matrix

Abstract

The existence of n-n⁺ transition in the elastic area of the implanted crystal matrix GaAs(100) + Ar(Si) is discussed within the framework of the electron-deformation model. It is shown that n-n+ transition becomes sharper with the increase of conductivity zone population (0 <= n <= 0.5). Thus the plane, which corresponds to the border of transition, is shifted to the border of elasticity with the increase of n.

В рамках электрон-деформационной модели раскрыто существование n-n⁺ перехода в упругой области имплантированной кристаллической матрицы GaAs(100) + Ar(Si). Показано, что с ростом степени заполнения зоны проводимости (0 <= n <= 0.5) переход становится более резким. При этом плоскость, соответствующая границе перехода, с ростом n сдвигается к границе упругости.