Analysis of the secondary breakdown of semiconductor materials on the basis of the nonlinear thermal conductivity equation

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізико-технічних проблем матеріалознавства
→
Functional Materials
→
Functional Materials, 2005, том 12
→
Functional Materials, 2005, № 2
→
Переглянути статтю

dc.contributor.author	Andreyeva, N.V.
dc.contributor.author	Virchenko, Yu.P.
dc.date.accessioned	2018-06-14T08:43:40Z
dc.date.available	2018-06-14T08:43:40Z
dc.date.issued	2005
dc.identifier.citation	Analysis of the secondary breakdown of semiconductor materials on the basis of the nonlinear thermal conductivity equation / N.V. Andreyeva, Yu.P. Virchenko // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 2. — С. 190-195. — англ.	uk_UA
dc.identifier.issn	1027-5495
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/134780
dc.description.abstract	On the basis of the Wagner approach in the theory of thermal breakdown of dielectrics, the analogous phenomenon in semiconductor films is analyzed. It is done without account of the stabilization effect connected with an external resistance. Formulas giving values of the fused channel diameters and the breakdown time are obtained.	uk_UA
dc.description.abstract	На основе подхода Вагнера в теории теплового пробоя диэлектриков проанализировано явление теплового пробоя полупроводниковой пленки без учета эффекта стабилизации внешним сопротивлением. Получены формулы для диаметров проплавленных каналов и времени пробоя.	uk_UA
dc.language.iso	en	uk_UA
dc.publisher	НТК «Інститут монокристалів» НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Functional Materials
dc.title	Analysis of the secondary breakdown of semiconductor materials on the basis of the nonlinear thermal conductivity equation	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA