Електричний опір вільноспеченого композиту на основі нітриду алюмінію з додаванням нанорозмірного карбіду кремнію

Abstract

Наведено результати вимірювання температурної залежності електричного опору композиту на основі нітриду алюмінію, одержаного вільним спіканням з додаванням нанорозмірного порошку карбіду кремнію. Результати рентгенофазового та раманівського мікроаналізів свідчать про утворення в одержаних композитах твердого розчину карбіду кремнію в нітриді алюмінію. Визначена в температурному інтервалі 290–500 K енергія активації електропровідності композиту становить 0,04–0,09 еВ. Величина енергії активації одержаних зразків композиту характерна для домішкового механізму провідності в AlN.

Приведены результаты измерения температурной зависимости электропроводности композита на основе нитрида алюминия, полученного свободным спеканием с добавлением наноразмерного порошка карбида кремния. Результаты рентгенофазового и рамановского микроанализов свидетельствуют об образовании в полученных композитах твердого раствора карбида кремния в нитриде алюминия. Определенная в температурном интервале 290–500 K энергия активации электропроводности композита равна 0,04–0,09 эВ. Энергия активации полученных образцов композита характерна для примесного механизма проводимости в AlN.

Temperature dependence of electrical resistance of pressureless sintered aluminum nitride based composite with addition of nano silicon carbide is presented. Micro X-ray and Raman analysis favors a formation of SiC solid solution in AlN. Activation energy of electrical conductivity in the 290-500 K temperature range is estimated to be equal to 0.04–0.09 eV. This value of activation energy of the composite can be attributed to the additive conductance in AlN.