Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Control of radiation-conductive heat exchange at crystal growth from melt

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Deshko, V.I.
dc.contributor.author Karvatskii, A.Ya.
dc.contributor.author Lenkin, A.V.
dc.contributor.author Lokhmanets, Yu.V.
dc.date.accessioned 2018-06-13T16:56:50Z
dc.date.available 2018-06-13T16:56:50Z
dc.date.issued 2008
dc.identifier.citation Control of radiation-conductive heat exchange at crystal growth from melt // V.I. Deshko, A.Ya. Karvatskii, A.V. Lenkin, Yu.V. Lokhmanets // Functional Materials. — 2008. — Т. 15, № 2. — С. 229-234. — Бібліогр.: 6 назв. — англ. uk_UA
dc.identifier.issn 1027-5495
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/134546
dc.description.abstract The influence of radiation heat exchange in a crystal-melt system for different (from the point of view of optical properties) material classes and crystal growing methods (at constant crystal-melt system thickness and at a constant melt thickness) is considered. The general approach is based on using of modified numerical one-dimensional crystallization model at radiation-conductive heat exchange. The radiation heat transfer in a crystal-melt system provides conditions for faster front movement. In this case, most favorable conditions with large temperature gradients are created in systems with transparent crystal and opaque melt. At simultaneous crystal and melt "transparency" the temperature gradients in melt may decrease and cause stability loss of the directed crystallization. uk_UA
dc.description.abstract Розглядається вплив радіаційного теплообміну у системі кристал-розплав для різних з точки зору оптичних властивостей класів матеріалів і методів вирощування кристалів: при постійній товщині системи кристал-розплав і при постійній товщині розплаву. Загальний підхід оснований на використанні модифікованої чисельної одновимірної моделі кристалізації при радіаційно-кондуктивному теплообміні. Радіаційний теплоперенос у системі кристал-розплав забезпечує умови для швидшого переміщення фронту, при цьому найбільш сприятливі умови з великими градієнтами температури створюються у системах прозорий кристал - непрозорий розплав. При одночасній «прозорості» кристала і розплаву градієнти температури у розплаві можуть зменшуватися і приводити до втрати стабільності процесу направленої кристалізації. uk_UA
dc.description.abstract Рассматривается влияние радиационного теплообмена в системе кристалл-расплав для разных с точки зрения оптических свойств классов материалов и методов выращивания кристаллов: при постоянной толщине системы кристалл-расплав и при постоянной толщине расплава. Общий подход построен на использовании модифицированной численной одномерной модели кристаллизации при радиационно-кондуктивном теплообмене. Радиационный теплоперенос в системе кристалл-расплав обеспечивает условия для более быстрого перемещения фронта, при этом наиболее благоприятные условия с большими градиентами температуры создаются в системах прозрачный кристалл - непрозрачный расплав. При одновременной "прозрачности" кристалла и расплава градиенты температуры в расплаве могут уменьшаться и приводить к потере устойчивости направленной кристаллизации. uk_UA
dc.language.iso en uk_UA
dc.publisher НТК «Інститут монокристалів» НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Functional Materials
dc.subject Modeling and simulation uk_UA
dc.title Control of radiation-conductive heat exchange at crystal growth from melt uk_UA
dc.title.alternative Управління процесами радіаційно-кондуктивного теплообміну при кристалізації з розплаву uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис