Вплив деформаційних ефектів на електричні властивості структури метал−напівпровідник−легований напівпровідник

Abstract

Дослiджено вплив пружних деформацiй, що виникають як за рахунок невiдповiдностi параметрiв ґраток контактуючих напiвпровiдникових матерiалiв, так i в околi кластера дефектiв мiжвузловинного кадмiю у легованiй напiвпровiдниковiй пiдкладцi CdTe, на iнжекцiю електронiв в iзолюючий шар структури метал–нелегований напiвпровiдник ZnxCd1-xTe–напiвпровiдникова пiдкладка n-CdTe.

Исследовано влияние упругих деформаций, вызванных как несоответствием параметров решеток контактирующих полупроводниковых материалов, так и наличием кластера дефектов междоузельного кадмия в легированной полупроводниковой подложке CdTe, на инжекцию электронов в изолирующий слой структуры металл–нелегированный полупроводник ZnxCd1-xTe–полупроводниковая подложка n-CdTe.

The influence of elastic deformations that arise owing to a mismatch between the lattice parameters of contacting semiconductor materials and in a vicinity of the defect cluster induced by interstitial cadmium in a doped semiconductor CdTe substrate on the electron injection into the insulating layer of the metal–undoped ZnxCd1-xTe semiconductor–n-CdTe semiconductor substrate structure has been studied.