Показати простий запис статті
dc.contributor.author |
Moradi, M. |
|
dc.contributor.author |
Daraee, M. |
|
dc.contributor.author |
Hajian, M. |
|
dc.contributor.author |
Forghani, M.A. |
|
dc.contributor.author |
Rastgoo, M. |
|
dc.contributor.author |
Alipour, A.O. |
|
dc.date.accessioned |
2010-11-08T17:19:31Z |
|
dc.date.available |
2010-11-08T17:19:31Z |
|
dc.date.issued |
2010 |
|
dc.identifier.citation |
Optimum Concentration of InSb Photodiode for Minimum Low Reverse Bias Leakage Current / M. Moradi, M. Daraee, M. Hajian, M.A. Forghani, M. Rastgoo, A.O. Alipour // Укр. фіз. журн. — 2010. — Т. 55, № 4. — С. 422-425. — Бібліогр.: 14 назв. — англ. |
uk_UA |
dc.identifier.issn |
2071-0194 |
|
dc.identifier.other |
PACS 71.20.Nr, 71.55.Eg |
|
dc.identifier.uri |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/13432 |
|
dc.description.abstract |
We have investigated a relation between the impurity concentration and the leakage current for three types of InSb diodes. They were fabricated with different impurity concentrations on both sides of the junction such as p - n, p^+ - n; and p^+ - n+ in order to achieve the minimal level of noise. It is shown that the leakage current at a low reverse bias has a minimum for the p^+ - n diode structure (impurity concentration of order of 2х10^15 cm^-3 for the n-type and 1х10^18 cm^-3 for the p-type). Increasing the impurity beyond these values may cause the tunneling at a low reverse bias voltage close to zero, and decreasing the impurity causes increasing the diffusion current. |
uk_UA |
dc.description.abstract |
Дослiджено зв’язок мiж концентрацiєю домiшки та струму витоку для трьох типiв InSb дiодiв. Дiоди було виготовлено з рiзними концентрацiями домiшки на обох боках перехода, а саме p - n, p^+ - n та p^+ - n^+; щоб отримати найнижчий рiвень шумiв. Показано, що струм витоку має мiнiмальне значення при низьких зворотних напругах змiщення для p^+ - n структури (концентрацiя домiшки порядку 2 х 10^15 cм^-3 для n-типу та 1 х 10^18 cм^-3 для p-типу). Зростання концентрацiї домiшки понад цих значень може викликати тунелювання при малих зворотних напругах змiщення, тодi як при зменшеннi концентрацiї зростає дифузiйний струм. |
uk_UA |
dc.description.sponsorship |
The authors would like to thank Gh.R. Valizadeh and M.H. Saani for their stimulating discussions, helpful suggestions, and the technical assistance. |
uk_UA |
dc.language.iso |
en |
uk_UA |
dc.publisher |
Відділення фізики і астрономії НАН України |
uk_UA |
dc.subject |
Тверде тіло |
uk_UA |
dc.title |
Optimum Concentration of InSb Photodiode for Minimum Low Reverse Bias Leakage Current |
uk_UA |
dc.title.alternative |
Оптимальна концентрація домішки в InSb фотодіодах з мінімальним струмом витоку при низькій зворотній напрузі зміщення |
uk_UA |
dc.type |
Article |
uk_UA |
dc.status |
published earlier |
uk_UA |
Файли у цій статті
Ця стаття з'являється у наступних колекціях
Показати простий запис статті