Описано поведение подвижности электронов при их диффузном движении в высокоомном кремнии, выращенном методом бестигельной зонной плавки (Fz) и методом Чохральского (Cz), после облучения быстрыми нейтронами реактора и последующего отжига при комнатной температуре. В рамках диффузной модели рассчитана в кремнии температурная зависимость дрейфовых барьеров движения электронов в образцах в присутствии кластеров дефектов. Определены концентрации и энергетические уровни радиационных дефектов в проводящей матрице n-Si. Обоснована роль межузельных атомов кремния в гистерезисе температурной зависимости подвижности электронов как их участие в конфигурационной перестройке дивакансий в кластерах дефектов, так и в образовании уровней обобщенных конфигураций.
Описано поведінку рухливості електронів при їх дифузному русі у високоомному кремнії, вирощеному методом безтигельного зонного плавлення (Fz) і методом Чохральського (Cz), після опромінення швидкими нейтронами реактора і наступного відпалу при кімнатній температурі. У рамках дифузної моделі розрахована в зразках кремнію в присутності кластерів дефектів температурна залежність дрейфових бар’єрів рухливості електронів. Визначено концентрації та енергетичні рівні радіаційних дефектів у провідній матриці n-Si. Обґрунтовано роль міжвузлових атомів кремнію в гістерезисі температурної залежності рухливості електронів як в їх участі в конфігураційній перебудові дивакансій в кластерах дефектів, так і в утворенні рівнів об’єднаних конфігурацій.
The behavior of the mobility of electrons as they diffuse movement in the high resistivity silicon, grown by floating zone melting (Fz) and Czochralski (Cz), after irradiation with fast neutrons reactor and subsequent annealing at room temperature was described. The theoretical calculation temperature dependence of drift barriers in the framework of corrected diffuse model in diffuse movement of electrons in the conductive matrix of silicon samples with defect clusters has been carried out. As part of the revised model of defect clusters was calculated dependence from temperature of the concentration and energy levels of radiation defects in the conductive matrix of silicon samples n-type. It is substantiates the role of interstitial silicon atoms in the hysteresis of the temperature dependence of the electron mobility and their participation in the restructuring of the configuration divacancy defects in clusters, and in the education levels of generalized configurations.
