Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Влияние изменения концентрации C₆H₈O₇ на характер химического взаимодействия InAs, InSb, GaAs и GaSb с травильными растворами (NH₄)₂Cr₂O₇–HBr–C₆H₈O₇
Репозиторій DSpace/Manakin
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
| dc.contributor.author | Левченко, И.В. | |
| dc.contributor.author | Стратийчук, И.Б. | |
| dc.contributor.author | Томашик, В.Н. | |
| dc.contributor.author | Маланич, Г.П. | |
| dc.contributor.author | Станецкая, А.С. | |
| dc.contributor.author | Корчевой, А.А. | |
| dc.date.accessioned | 2018-05-29T05:03:46Z | |
| dc.date.available | 2018-05-29T05:03:46Z | |
| dc.date.issued | 2017 | |
| dc.identifier.citation | Влияние изменения концентрации C₆H₈O₇ на характер химического взаимодействия InAs, InSb, GaAs и GaSb с травильными растворами(NH₄)₂Cr₂O₇–HBr–C₆H₈O₇ (NH4)2Cr2O7–HBr–C6H8O7 / И.В. Левченко, И.Б. Стратийчук, В.Н. Томашик, Г.П. Маланич, А.С. Станецкая, А.А. Корчевой // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2017. — Т. 15, № 3. — С. 495–506. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. | uk_UA |
| dc.identifier.issn | 1816-5230 | |
| dc.identifier.other | PACS: 61.72.uj, 68.35.bg, 68.35.Ct, 68.37.Ps, 81.65.Cf, 81.65.Ps, 82.65.+r | |
| dc.identifier.uri | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/133493 | |
| dc.description.abstract | В данной статье рассмотрены особенности химико-динамического полирования полупроводников типа AIIIBV травильными композициями(NH₄) ₂Cr₂O₇–HBr–C₆H₈O₇ с использованием C₆H₈O₇ разной исходной концентрации. | uk_UA |
| dc.description.abstract | У даній статті розглянуто особливості хеміко-динамічного полірування напівпровідників типу AIIIBV щавильними композиціями(NH₄)₂Cr₂O₇–HBr–C₆H₈O₇ з використанням C₆H₈O₇ різної вихідної концентрації. | uk_UA |
| dc.description.abstract | In this article, the peculiarities of the chemical-dynamic polishing of III–V semiconductors in the etching(NH₄)₂Cr₂O₇–HBr–C₆H₈O₇ compositions using various C₆H₈O₇ concentrations are determined. | uk_UA |
| dc.language.iso | ru | uk_UA |
| dc.publisher | Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України | uk_UA |
| dc.relation.ispartof | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології | |
| dc.title | Влияние изменения концентрации C₆H₈O₇ на характер химического взаимодействия InAs, InSb, GaAs и GaSb с травильными растворами (NH₄)₂Cr₂O₇–HBr–C₆H₈O₇ | uk_UA |
| dc.title.alternative | Influence of the C₆H₈O₇ Concentration Change on the Chemical Interaction of InAs, InSb, GaAs and GaSb with the Etching(NH₄)₂Cr₂O₇–HBr–C₆H₈O₇ Solutions | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |
| dc.status | published earlier | uk_UA |
