Создание основ интегральной динамической дифрактометрии микро- и нанонеоднородностей структуры кристаллов с дефектами и нарушенным поверхностным слоем

Abstract

Разработан и реализован практически на основе использования обнаруженных эффектов асимметрии азимутальной зависимости полной интегральной интенсивности динамической дифракции подход для неразрушающей диагностики профиля неоднородного распределения микродефектов в монокристаллах. В частности, впервые получен профиль распределения микродефектов (преципитатов и дислокационных петель без ограничений на их размеры) по глубине динамически рассеивающего слоя монокристалла, а также показана принципиальная возможность и фактически определена кинетика изменения его сложной структуры после обработки высокоэнергетическими электронами.

Розроблено і реалізовано практично на основі використання виявлених ефектів асиметрії азимутальної залежности повної інтеґральної інтенсивности динамічної дифракції підхід для неруйнівної діягностики профілю неоднорідного розподілу мікродефектів у монокристалах. Зокрема, вперше одержано профіль розподілу мікродефектів (преципітатів і дислокаційних петель без обмежень на їхні розміри) за глибиною динамічного розсіювального шару монокристалу, а також показано принципову можливість і фактично визначено кінетику зміни його складної структури після оброблення високоенергетичними електронами.

Based on the use of observed effects of the asymmetry of an azimuthal dependence of a total integrated intensity of a dynamical diffraction, approach is developed and practically implemented for the non-destructive diagnostics of a profile of the inhomogeneous distribution of microdefects in single crystals. In particular, for the first time, the distribution profile for microdefects (precipitates and dislocation loops without restrictions on their sizes) over a depth of dynamically scattering layer of a single crystal is obtained. A principal possibility of kinetics determination is shown, and the kinetics of changing of such layer complex structure after high-energy electron processing is actually determined.