Методом вакуумно-термического испарения из двух независимых источников компонентов и методом дискретного вакуумно-термического испарения предварительно синтезированного материала приготовлены тонкие поликристаллические плёнки TbSb. При комнатной температуре исследованы спектры отражения и поглощения в области энергии фотонов 0,08–5 Эв. Вычислены энергетические зависимости действительной и мнимой части диэлектрической проницаемости, функции потерь. Проанализировано поведение спектральной зависимости оптических параметров. Методом полного истирания исследована относительная механическая прочность приготовленных плёнок.
Методом вакуумно-термічного випаровування з двох незалежних джерел компонентів і методом дискретного вакуумно-термічного випаровування попередньо синтезованого матеріалу приготовлені тонкі полікристалічні плівки TbSb. При кімнатній температурі досліджені спектри відображення і поглинання в області енергії фотонів 0,08–5 еВ. Обчислені енергетичні залежності дійсної та уявної частини діелектричної проникності, функції втрат. Проаналізовано поведінку спектральної залежності оптичних параметрів. Методом повного стирання досліджена відносна механічна міцність приготованих плівок.
A processes has been developed for growth of thin crystalline thin films TbSb by thermal evaporation using Tb and Sb separate sources and by discrate thermal evaporation of preliminary synthesized volume material TbSb. The room-temperature optical spectra reflectivity and absorption have been studied at photon energy 0.08–5 eV. Power dependences of the real and imaginary part of dielectrical permittivity, lost punction are calculated. By the method of the complete attrition mechanical strength of prepared films is defined. It is shown that mechanical strength of the films prepared by method of discrete evaporation is higher than durability of the films prepared by the evaporation method from two independent sources.
