Стимуляция десорбции аргона примесью кислорода

Abstract

Исследовано влияние примеси кислорода на эффективность десорбции возбужденных атомов и молекул с поверхности кристаллического аргона. Обнаружено значительное увеличение выхода десорбированных частиц при концентрации 1ат.% O₂ в матрице аргона. Показано, что примесь ксенона не приводит к аналогичному эффекту. Предложены возможные механизмы стимуляции десорбции аргона примесью кислорода. Один из них может быть обусловлен образованием микрокластеров аргона вокруг иона O¯ вблизи поверхности кристалла. Второй может быть связан с увеличением вероятности рекомбинации Ar₂⁺ с электроном за счет перескока отрицательного заряда между ионами O₂⁻ и Ar₂⁺

The influence of an oxygen impurity on the efficiency of desorption of excited atoms and molecules from the surface of crystalline argon is investigated. A significant increase in the yield of desorbed particles is observed at an O₂ concentration of 1 at. % in the argon host matrix. It is shown that a xenon impurity does not have a similar effect. Possible mechanisms are proposed for the stimulation of argon desorption by impurity oxygen. One of them may involve the formation of argon microclusters around O¯ ions near the surface of the crystal. Another mechanism may be due to an increase in the probability of recombination of Ar₂⁺ with an electron on account of the hopping of the negative charge between the O₂⁻ and Ar₂⁺ ions.