Тепловое расширение слоистых монокристаллов TlGaSe₂ и TlInS₂

Abstract

Приведены данные экспериментальных исследований теплового расширения слоистых монокристаллов TlGaSe₂ и TlInS₂ в плоскости слоев и в перпендикулярном слоям направлении в области температур 20-300 К. Обнаруженные особенности теплового расширения обсуждаются в свете имеющихся данных об упругих свойствах TlGaSe₂ и TlInS₂. Выявлено, что отличия в температурном поведении коэффициентов теплового расширения в плоскости слоев a||(T) в кристаллах TlGaSe₂ и TlInS₂ обусловлены различной степенью анизотропии этих кристаллов, а также разной величиной "межслоевой" упругой постоянной C13.

Experimental data are reported from studies of the thermal expansion of single crystals of the layered compounds TlGaSe₂ and TlInS₂ in the plane of the layers and in the direction perpendicular to the layers in the temperature region 20–300 K. Observed features of the thermal expansion are discussed in the light of the available data on the elastic properties of TlGaSe₂ and TlInS₂. It is found that the differences in the temperature behavior of the thermal expansion coefficients in the plane of the layers α∥(T) in the TlGaSe₂ and TlInS₂ crystals are due to the different degree of anisotropy of these crystals and to the different value of the “interlayer” elastic constant C13.