Показати простий запис статті
dc.contributor.author |
Безуглый, А.И. |
|
dc.date.accessioned |
2017-12-31T17:06:51Z |
|
dc.date.available |
2017-12-31T17:06:51Z |
|
dc.date.issued |
2015 |
|
dc.identifier.citation |
Фононный перенос энергии в наноструктурах, содержащих два металлических слоя / А.И. Безуглый // Физика низких температур. — 2015. — Т. 41, № 8. — С. 798–805. — Бібліогр.: 18 назв. — рос. |
uk_UA |
dc.identifier.issn |
0132-6414 |
|
dc.identifier.other |
PACS: 63.20.kd, 66.70.–f |
|
dc.identifier.uri |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/127963 |
|
dc.description.abstract |
Рассмотрен режим стационарного нагрева системы, состоящей из двух металлических слоев М₁ и М₂,
разделенных диэлектрической прослойкой I. Считается, что в слоях поглощается мощность W₁ и W₂, а
массивная диэлектрическая подложка, на которой расположена M₁/I/M₂-система, является термостатом.
На основании кинетического уравнения для фононной функции распределения проанализирован фононный перенос тепла в M₁/I/M₂-системе и найдена зависимость электронных температур слоев, T₁ и T₂, от
W₁ и W₂. Предельные случаи толстых и тонких слоев рассмотрены в реальной экспериментальной ситуации, когда один из слоев нагревается, а другой слой служит термометром. Проведено сравнение результатов теории с экспериментом. |
uk_UA |
dc.description.abstract |
Розглянуто режим стаціонарного нагріву системи, що складається з двох металевих шарів М₁ і М₂,
розділених діелектричним прошарком I. Вважається, що в шарах поглинається потужність W₁ і W₂, а масивна діелектрична підкладка, на якій розташована M₁/I/M₂-система, є термостатом. На підставі
кінетичного рівняння для фононної функції розподілу проаналізовано фононне перенесення тепла в
M₁/I/M₂-системі і знайдена залежність електронних температур шарів, T₁ і T₂ від W₁ і W₂. Граничні випадки товстих і тонких шарів розглянуто в реальній експериментальній ситуації, коли один з шарів
нагрівається, а інший шар служить термометром. Проведено порівняння результатів теорії з експериментом. |
uk_UA |
dc.description.abstract |
We consider a steady-state heating regime for a system
consisting of two metal layers, M₁ and M₂, separated
by a dielectric layer I. It is supposed that the powers
W₁ and W₂ are absorbed in the layers, and a massive dielectric
substrate, on which the M₁/I/M₂ system is situated,
is a thermostat. On the basis of the kinetic equation
for the phonon distribution function, we analyze the
phonon heat transfer in the M₁/I/M₂ system and find the
dependence of electron temperatures of layers, T₁ and
T₂, on W₁ and W₂. The limiting cases of thick and thin
layers are considered in a real experimental situation
where one of the layers is heated and the other layer
serves as a thermometer. The theoretical results are
compared with the experimental data. |
uk_UA |
dc.language.iso |
ru |
uk_UA |
dc.publisher |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
uk_UA |
dc.relation.ispartof |
Физика низких температур |
|
dc.subject |
Электронные свойства проводящих систем |
uk_UA |
dc.title |
Фононный перенос энергии в наноструктурах, содержащих два металлических слоя |
uk_UA |
dc.title.alternative |
Phonon transfer of energy in nanostructures comprising two metal layers |
uk_UA |
dc.type |
Article |
uk_UA |
dc.status |
published earlier |
uk_UA |
Файли у цій статті
Ця стаття з'являється у наступних колекціях
Показати простий запис статті