Электрические свойства халькогенидов AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9)

dc.contributor.author	Хейфец, О.Л.
dc.contributor.author	Бабушкин, А.Н.
dc.contributor.author	Шабашова, О.А.
dc.contributor.author	Мельникова, Н.В.
dc.date.accessioned	2017-12-27T14:41:34Z
dc.date.available	2017-12-27T14:41:34Z
dc.date.issued	2007
dc.identifier.citation	Электрические свойства халькогенидов AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9)/ О.Л. Хейфец, А.Н. Бабушкин, О.А. Шабашова, Н.В. Мельникова // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 2-3. — С. 374-377. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	0132-6414
dc.identifier.other	PACS: 66.30.Dn, 72.60.+g, 77.22.–d
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/127736
dc.description.abstract	Проведен синтез и исследованы электрические свойства халькогенидов AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9) при низких температурах. Изучение синтезированных материалов, являющихя ионными проводниками, проведено методом импедансной спектроскопии. Обнаружены температурные интервалы, в которых проявляется особое поведение электропроводности и диэлектрической проницаемости исследованных материалов.	uk_UA
dc.description.abstract	Проведено синтез і досліджено електричні властивості халькогенідів AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9) при низьких температурах. Вивчення синтезованих матеріалів, що є іонними провідниками, проведено методом імпедансної спектроскопії. Виявлено температурні інтервали, у яких проявляється особливе поводження електропровідності й діелектричної проникливості досліджених матеріалів.	uk_UA
dc.description.abstract	The paper concerns the synthesis and investigation of electrical properties of chalcogenides AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9) at low temperatures. The researche was carried out by the method of impedance spectroscopy. The synthesized materials are ionic conductors. The temperature intervals are determined in which conductivity and dielectric permeability of the investigated materials are of special behavior.	uk_UA
dc.description.sponsorship	Выражаем благодарность Томскому материаловедческому центру коллективного пользования (НОЦ«Физика и химия высокоэнергетических систем») за помощь в проведении рентгенографических исследований.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Физика низких температур
dc.subject	Новые электронные материалы и системы	uk_UA
dc.title	Электрические свойства халькогенидов AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9)	uk_UA
dc.title.alternative	Electrical properties of chalcogenides AgGeAsS₃xSe₃₍₁₋x₎(0,1<=x<=0,9)	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA