Транспорт, магнитотранспорт и ферромагнетизм в разбавленных магнитных полупроводниках

Abstract

Рассмотрены магнитные свойства, эффект Холла и магнитосопротивление различных разбавленных магнитных полупроводников: структур с квантовой ямой In₁₋xGaxAs, дельта-легированной Mn; слоев квантовых точек InAs в GaAs, дельта-легированных Mn; ионно-имплантированных Mn и Mg структур GaAs; термоэлектриков Bi₂Te₃<Fe> и Sb₂₋xCrxTe₃. Исследовано влияние ферромагнетизма, возникающего во всех рассмотренных системах, на транспортные свойства, эффект Холла и возникающее в области низких температур отрицательное магнитосопротивление. В Bi₂Te₃<Fe> и Sb₂₋xCrxTe₃ изучено влияние магнитной примеси Fe и Cr на коэффициент Зеебека и теплопроводность.

Розглянуто магнітні властивості, ефект Холла і магнітоопір різних розведених магнітних напівпровідників: структур із квантовою ямою In₁₋xGaxAs, дельта-легованої Mn; шарів квантових точок InAs у GaAs, дельта-легованих Mn; іонно-імплантованих Mn і Mg структур GaAs; термоелектриків Bi₂Te₃<Fe> і Sb₂₋xCrxTe₃. Досліджено вплив феромагнетизму, що виникає у всіх розглянутих системах, на транспортні властивості, ефект Холла і негативний магнітоопір, що виникає в області низьких температур. У Bi₂Te₃<Fe> та Sb₂₋xCrxTe₃ вивчено вплив магнітної домішки Fe і Cr на коефіцієнт Зеєбека і теплопровідність.

Magnetic properties, Hall effect and magnetoresistance of different diluted magnetic semiconductors are discussed. Four type of samples have been investigated: structures with a quantum well of In₁₋xGaxAs, delta-doped by Mn; quantum dot layers of InAs in the GaAs matrix delta-doped by Mn; Mn and Mg ion-implanted by structures of GaAs; thermoelectrics Bi₂Te₃<Fe> and Sb₂₋xCrxTe₃. The influence of ferromagnetic phase in the systems investigated on transport, Hall effect and low-temperature negative magnetoresistance is studied. The effects of Fe and Cr magnetic impurities on Zeebeck coefficient and thermal conductivity in Bi₂Te₃<Fe> and Sb₂₋xCrxTe₃ is examined.