Двумерные электронные системы с сильным взаимодействием в кремниевых полевых структурах

dc.contributor.author	Долгополов, В.Т.
dc.date.accessioned	2017-12-23T17:28:32Z
dc.date.available	2017-12-23T17:28:32Z
dc.date.issued	2007
dc.identifier.citation	Двумерные электронные системы с сильным взаимодействием в кремниевых полевых структурах / В.Т. Долгополов // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 2-3. — С. 143-152. — Бібліогр.: 29 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	0132-6414
dc.identifier.other	PACS: 71.30.+h, 73.43.–f
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/127511
dc.description.abstract	Приведен краткий обзор результатов экспериментальных исследований сильно взаимодействующей двумерной ферми-жидкости в кремниевых полевых структурах. Путем экстраполяции экспериментальных данных из металлической области сделаны выводы о расходимости эффективной массы электронов и обращении в нуль поля полной спиновой поляризации при конечной концентрации электронов.	uk_UA
dc.description.abstract	Приведено короткий огляд результатів експериментальних досліджень сильно взаємодіючої двовимірної фермі-рідини в кремнієвих польових структурах. Шляхом екстраполяції експериментальних даних з металевої області зроблено висновки про розбіжність ефективної маси електронів і зверненні до нуля поля повної спінової поляризації при кінцевій концентрації електронів.	uk_UA
dc.description.abstract	The experimental results for a strongly-interacting 2D electron system in Si MOSFETs are reviewed. Extrapolating the data obtained in the metallic region, suggests that the effective electron and the field of total spin polarization tend to diverge and to vanish, respectively, at a finite electron density.	uk_UA
dc.description.sponsorship	Автор приносит искреннюю благодарность Т. Клапвайку, предложившему и реализовавшему дизайн кремниевых полевых структур, позволивший уверенно работать с электронами малой плотности, С.В. Кравченко, М. Сакру, С. Анисимовой, А.А. Шашкину, В.С. Храпаю и А. Гольду за сотрудничество. Взгляд автора на рассмотренную выше проблему сформировался в результате обсуждений с упомянутыми выше соавторами, а также с В.Ф. Гантмахером, А. Финкельштейном, М. Зверевым и В. Ходелем, за что автор приносит им глубочайшую благодарность. Часть работы, выполненная в России, была поддержана РФФИ, программами РАН и программой поддержки ведущих научных школ.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Физика низких температур
dc.subject	Электронные свойства низкоразмерных систем	uk_UA
dc.title	Двумерные электронные системы с сильным взаимодействием в кремниевых полевых структурах	uk_UA
dc.title.alternative	Two-dimensional electron systems with strong interaction in silicon field structures	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA