Погребняк, А.Д.; Демьяненко, А.А.; Пшик, А.В.; Кравченко, Ю.А.; Соболь, О.В.; Береснев, В.М.; Amekura, H.; Kоnо, K.; Oyoshi, K.; Takeda, Y.; Подчерняева, И.А.
(Сверхтвердые материалы, 2015)
Методом магнетронного распыления мишени получено покрытие системы AlN–TiB₂–TiSi₂. При высокотемпературном (900 и 1300 °C) воздействии на покрытие наблюдается его кристаллизация с образованием кристаллитов размером 11−25 ...